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參數(shù)資料
| 型號： | IRHM7160 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | IRHM7160 |
IRHM7160, IRHM8160 Devices
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM9130 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
| IRHM93160 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
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| IRHMS593160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM7160D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM7160U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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| IRHM7230D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM7230U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
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