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參數(shù)資料
| 型號： | IRHN7250 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | IRHN7250 |
www.irf.com
11
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Pre-Irradiation
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 30b.
Gate Charge Test Circuit
Fig30a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 29c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 29b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 29a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
12V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN9230 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
| IRHN9250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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