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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHN7250 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | IRHN7250 |
www.irf.com
9
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Pre-Irradiation
Fig 23.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 22.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 25.
Maximum Safe Operating
Area
Fig 24.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRHN7450SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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