- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377522 > IRHN8230 (International Rectifier) TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRHN8230 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| 中文描述： | 晶體管N溝道（BVdss \u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 9.0,9.0） |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | IRHN8230 |
Post-Radiation
IRHN7230, IRHN8230 Devices
Figure 5. – Typical Zero Gate Voltage Drain Current
Vs. Total Dose Exposure
Figure 6. – Typical On-State Resistance Vs. Neutron
Fluence Level
Figure 9. – High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Figure 8a. – Gate
Stress of VGSS Equals
12 Volts During
Radiation
Figure 8b. – VDSS Stress
Equals 80% of BVDSS During
Radiation
Figure 7. – Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1 x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN9230 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術 HEXFET晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 22A 3SMD-1 - Rail/Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。