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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHN8250 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | IRHN8250 |
www.irf.com
5
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Post-Irradiation
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 9.
High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During
1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8a.
Gate Stress of V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN9230 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
| IRHN9250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN93250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 22A 3SMD-1 - Rail/Tube |
| IRHN9150SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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