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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHN8250 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | IRHN8250 |
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 12 Vdc, V
DS
= 0 Vdc
6
www.irf.com
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Fig 10.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Radiation Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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