- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377522 > IRHNA54160 (International Rectifier) Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(表貼型抗輻射功率MOS場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRHNA54160 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(表貼型抗輻射功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 表面安裝抗輻射功率MOSFET（表貼型抗輻射功率馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | IRHNA54160 |
IRHNA57160
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA53260 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA57060 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA54260 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA57260 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA58260 | 200V, N-CHANNEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHNA54260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA54Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHNA57060 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:200V, N-CHANNEL |
| IRHNA57064 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| IRHNA57064/SLDC/BAE | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 75A 3SMD-2 SLDC FOR BAE - Virtual or Non-Physical Inventory (Software & Literature) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。