參數(shù)資料
型號(hào)： IRHNA63160
廠商： International Rectifier
英文描述： RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL
中文描述： 抗輻射功率MOSFET表面貼裝系統(tǒng)（SMD - 2），100V的，N溝道
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： IRHNA63160
IRHNA67160
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHNA67160 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL
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IRHNA8Z60 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗輻射N(xiāo)溝道HEXFET晶體管)
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