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參數(shù)資料
| 型號： | IRHQ58110 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHQ58110 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHQ57110
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
2.1A
2.9A
4.6A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHQ54110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHQ9110 | 100V, 4 P-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(100V,表貼型抗輻射功率四P溝道MOS場效應(yīng)管) |
| IRHQ93110 | 100V, 4 P-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(100V,表貼型抗輻射功率四P溝道MOS場效應(yīng)管) |
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| IRHY8230CM | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRHQ6110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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