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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLBL1304 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | IRLBL1304 |
IRLBL1304
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
4.5V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLC1304 | HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form(晶圓形式的HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRLD014PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLD024PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLD110PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLD120PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLC014B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC024B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC034B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC044BV | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC110B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk |
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