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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLBL1304 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | IRLBL1304 |
IRLBL1304
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLC1304 | HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form(晶圓形式的HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRLD014PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLD024PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLD110PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLD120PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLC014B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC024B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC034B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC044BV | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC110B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk |
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