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參數資料
| 型號： | IRLL014PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 224K |
| 代理商： | IRLL014PBF |
IRLL014PbF
8
www.irf.com
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4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED DIRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN.
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CONTAINS 2,500 DEVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE COMFORMS TO EIA-418-1.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER..
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
06/04
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL024NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLL024ZPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLL024Z | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLL110PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLL110 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLL014TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLL014TRA | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLL014TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLL014TRPBFA | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLL024N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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