參數資料
型號： IRLL024ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 3/10頁
文件大小： 228K
代理商： IRLL024ZPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
3.0V
0
2
4
6
8
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
0
2
4
6
8
10
12
ID,Drain-to-Source Current (A)
0
2
4
6
8
10
Gf
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 10V
300μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
3.0V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
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