參數(shù)資料
型號(hào)： IRLL024ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRLL024ZPBF
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLL024Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLL110PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET
IRLL2705PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL024ZTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 5A, 60 mOhm, 7 nC Qg, Logic Level, SOT-223
IRLL024ZTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL024ZTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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