參數(shù)資料
型號： IRLL3303PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： IRLL3303PBF
IRLL3303PbF
www.irf.com
5
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
1000
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
1000
10000
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
S INGLE PU LS E
(TH E RMA L RE SP ON SE )
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
D M
thJA
A
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
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IRLL3303TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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