參數(shù)資料
型號: IRLL3303PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大?。?/td> 174K
代理商: IRLL3303PBF
IRLL3303PbF
www.irf.com
9
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.
04/04
SOT-223 (TO-261AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in milimeters (inches)
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED D IRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN .
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. C ON TR OLLING DIMENSION : MILLIME TER .
2. OUTLIN E CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CO NTAINS 2,500 D EVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE C OMFOR MS TO EIA-418-1.
2. CONTR OLLING DIMEN SION: MILLIM ETER..
3. DIMENSION MEASUR ED @ HU B.
4. IN CLU DES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
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參數(shù)描述
IRLL3303PBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLL3303TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL3303TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL3303TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
IRLM014A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223