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參數資料
| 型號： | IS42S32800B-6BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90 |
| 文件頁數： | 6/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6BL |
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6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Operation Mode
Fully synchronous operations are performed to latch the commands at the positive edges of CLK.Table 2 shows the truth
table for the operation commands.
Table 2.Truth Table (Note (1),(2))
Note:
1. V =Valid,X =Don ’t care,L =Logic low,H =Logic high
2. CKEn signal is input level when commands are provided.
CKEn-1 signal is input level one clock cycle before the commands are provided.
3. These are states of bank designated by BS signal.
4. Device state is 1,2,4,8,and full page burst operation.
5. Power Down Mode can not enter in the burst operation.
When this command is asserted in the burst cycle,device state is clock suspend mode.
6. DQM0-3
Command
BankActivate
BankPrecharge
PrechargeAll
Write
Write and Auto Precharge Active
(3)
State
Idle
(3)
Any
Any
Active
(3)
CKEn-1 CKE
H
H
H
H
H
DQM
(6)
X
X
X
X
X
BS0,1
V
V
X
V
V
A10
Row address
L
H
L
H
(A0 ~A7)
A11,A9-0
CS# RAS# CAS# WE#
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
X
X
X
X
X
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
X
X
Read
Read and Autoprecharge
Active
(3)
Active
(3)
H
H
X
X
X
X
V
V
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
Mode Register
No-Operation
Burst Stop
Device Deselect
AutoRefresh
SelfRefresh Entry
SelfRefresh Exit
Set Idle
Any
Active
(4)
Any
Idle
Idle
Idle
(SelfRefresh)
H
H
H
H
H
H
L
X
X
X
X
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
OP code
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
L
L
H
L
X
H
L
X
H
L
X
X
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
L
H
L
X
H
H
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Clock Suspend Mode Entry Active
Power Down Mode Entry
H
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
Any
(5)
Clock Suspend Mode Exit
Power Down Mode Exit
Active
Any
(PowerDown)
Active
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
Data Write/Output Enable
Data Mask/Output Disable Active
H
H
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
Column
address
Column
address
(A0 ~A7)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6BLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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