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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 11/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6T |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
11
ISSI
IS42S32800B
Read to Precharge (CAS#Latency =2,3)
5
Write command
(RAS#=”H”,CAS#=”L”,WE#=”L”,BS =Bank,A10 =”L”,A0-A7 =Column Address)
The Write command is used to write a burst of data on consecutive clock cycles from an active row in an active
bank.The bank must be active for at least tRCD(min.)before the Write command is issued.During write bursts,
the first valid data-in element will be registered coincident with the Write command.Subsequent data elements
will be registered on each successive positive clock edge (refer to the following figure).The DQs remain with high-
impedance at the end of the burst unless another command is initiated.The burst length and burst sequence are
determined by the mode register,which is already programmed.A full-page burst will continue until terminated (at
the end of the page it will wrap to column 0 and continue).
CLK
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
Activate
NOP
NOP
Precharge
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
ADDRESS
t
RP
Bank,
Col A
Bank(s)
Row
CAS# latency=2
tCK2, DQs
CAS# latency=3
tCK3, DQs
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Bank,
CLK
COMMAND
DIN A 3
NOP
WRITEA
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN A 0
DIN A 1
DIN A 2
DQ0 - DQ3
The first data element and the write
are registered on the same clock edge.
Burst Write Operation (Burst Length =4,CAS#Latency =2,3)
Extra data is masked.
don’t care
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
A write burst without the AutoPrecharge function may be interrupted by a subsequent Write, BankPrecharge/
PrechargeAll,or Read command before the end of the burst length.An interrupt coming from Write command can
occur on any clock cycle following the previous Write command (refer to the following figure).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7B | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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