- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377552 > IS42S32800B-6T (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 58/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁當前第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
5
8
ISSI
IS42S32800B
Figure 24.2.Precharge Termination of a Burst
(Burst Length=8 or Full Page,CAS#Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK2
DAx0 DAx1 DAx2 DAx3
Ay2
Ay0
Ay1
RAx
RAx
RAy
CAx
RAy
CAy
Az0
Az1
Az2
t
WR
t
RP
t
RP
RAz
CAz
t
RP
RAz
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
High
Write
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge Termination
of a Write Burst.
Write data is masked.
Precharge Termination
of a Read Burst.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7B | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。