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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 8/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6T |
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8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
3
PrechargeAll command
(RAS#=”L”,CAS#=”H”,WE#=”L”,BS =Don t care,A10 =”H”)
The Precharge
All command precharges all the four banks simultaneously and can be issued even if all banks are
not in the active state.
All banks are then switched to the idle state.
4
Read command
(RAS#=”H”,CAS#=”L”,WE#=”H”,BS =Bank,A10 =”L”,A0-A7 =Column Address)
The Read command is used to read a burst of data on consecutive clock cycles from an active row in an active
bank.The bank must be active for at least tRCD(min.)
before the Read command is issued.During read bursts,
the valid data-out element from the starting column address will be available following the CAS#
latency after the
issue of the Read command.Each subsequent data- out element will be valid by the next positive clock edge (refer
to the following figure).The DQs go into high-impedance at the end of the burst unless other command is initiated.
The burst length,burst sequence,and CAS#
latency are determined by the mode register which is already
programmed.A full-page burst will continue until terminated (at the end of the page it will wrap to column 0 and
continue).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7B | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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