參數(shù)資料
型號(hào): IS42S32800B-7BL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90
文件頁數(shù): 30/62頁
文件大?。?/td> 939K
代理商: IS42S32800B-7BL
30
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Figure 6.3.Clock Suspension During Burst Read (Using CKE)
(Burst Length=4,CAS#Latency=3)
Note:
CKE to CLK disable/enable =1 clock
T0
T 1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
RAx
RAx
CAx
Ax0
Ax1
Ax2
Ax3
t
HZ
T 2
Clock Suspend
1 Cycle
Clock Suspend
2 Cycle
Clock Suspend
3 Cycle
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-7BLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7T 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TL 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32800B-7BLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7BLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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