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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32800B |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 200萬字× 32位× 4銀行（256兆）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/62頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B |
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22
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
- 6/7
Symbol
t
RC
A.C. Parameter
Min.
Max.
Unit
Note
Row cycle time
(same bank)
Row activate to row activate delay
(different banks)
RAS# to CAS# delay
(same bank)
Precharge to refresh/row activate command
(same bank)
Row activate to precharge time
(same bank)
Clock cycle time
60/70
9
t
RRD
12/14
9
t
RCD
1
8
/20
9
t
RP
1
8
/20
9
t
RAS
42/45
120,000
9
t
CK2
t
CK3
CL* = 2
CL* = 3
7.5/10
6/7
ns
Access time from CLK
(positive edge)
Data output hold time
9
t
AC
5.5/5.5
t
OH
2/2
9
t
CH
Clock high time
2.5/2.5
10
t
CL
Clock low time
2.5/2.5
10
t
IS
Data/Address/Control Input set-up time
2.0
/
2.0 10
t
IH
Data/Address/Control Input hold time
1
10
t
LZ
Data output low impedance
1
9
8
t
HZ
Data output high impedance
Write Recovery Time
CAS# to CAS# Delay time
Mode Register Set cycle time
5.4
t
WR
t
CCD
t
MRS
2
1
2
CLK
* CL is CAS# Latency.
AC Electrical Characteristics (Recommended Operating Conditions)
5,6,7,8
Note:
1. Stress greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings”may cause permanent damage to the device.
2. All voltages are referenced to VSS.
3. These parameters depend on the cycle rate and these values are measured by the cycle rate under the minimum value of
tCK and tRC.Input signals are changed one time during tCK.
4. These parameters depend on the output loading.Specified values are obtained with the output open.
5. Power-up sequence is described in Note 11.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6B | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6BI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6BL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6BLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-6T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6B | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6BLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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