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參數(shù)資料
| 型號： | IS42VS16100C1-10T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 31/80頁 |
| 文件大小： | 772K |
| 代理商： | IS42VS16100C1-10T |
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IS42VS16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
31
Precharge
The precharge command sets the bank selected by pin A11
to the precharged state. This command can be executed at
a time t
RAS
following the execution of an active command to
the same bank. The selected bank goes to the idle state at
a time t
RP
following the execution of the precharge command,
and an active command can be executed again for that
bank.
If pin A10 is low when this command is executed, the bank
selected by pin A11 will be precharged, and if pin A10 is
HIGH, both banks will be precharged at the same time. This
input to pin A11 is ignored in the latter case.
Read Cycle Interruption
Using the Precharge Command
A read cycle can be interrupted by the execution of the
precharge command before that cycle completes. The
delay time (t
RQL
) from the execution of the precharge
command to the completion of the burst output is the
clock cycle of
CAS
latency.
CAS
Latency
t
RQL
3
3
2
2
t
RQL
t
RQL
PRE 0
READ A0
COMMAND
DQ
CLK
D
OUT
A0
D
OUT
A1
D
OUT
A2
HI-Z
READ (CA=A, BANK 0)
PRECHARGE (BANK 0)
PRE 0
READ A0
COMMAND
DQ
CLK
D
OUT
A0
D
OUT
A1
D
OUT
A2
HI-Z
READ (CA=A, BANK 0)
PRECHARGE (BANK 0)
CAS
latency = 2, burstlength = 4
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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