- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377552 > IS42VS16100C1-10TI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42VS16100C1-10TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 33/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 772K |
| 代理商： | IS42VS16100C1-10TI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁
IS42VS16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
33
Read Cycle (Full Page) Interruption Using
the Burst Stop Command
The IS42VS16100C1 can output data continuously from
the burst start address (a) to location a+255 during a read
cycle in which the burst length is set to full page. The
IS42VS16100C1 repeats the operation starting at the 256th
cycle with the data output returning to location (a) and
continuing with a+1, a+2, a+3, etc. A burst stop command
must be executed to terminate this cycle. A precharge
command must be executed within the ACT to PRE
command period (t
RAS
max.) following the burst stop
command.
After the period (t
RBD
) required for burst data output to
stop following the execution of the burst stop command
has elapsed, the outputs go to the HIGH impedance
state. This period (t
RBD
) is two clock cycle when the
CAS
latency is two and three clock cycle when the
CAS
latency is three.
CAS
Latency
t
RBD
3
3
2
2
BST
READ A0
COMMAND
DQ
CLK
t
RBD
READ (CA=A, BANK 0)
BURST STOP
HI-Z
D
OUT
A0
D
OUT
A0
D
OUT
A1
D
OUT
A2
COMMAND
DQ
CLK
t
RBD
READ A0
READ (CA=A, BANK 0)
BURST STOP
BST
HI-Z
D
OUT
A0
D
OUT
A0
D
OUT
A1
D
OUT
A2
D
OUT
A3
D
OUT
A3
CAS
latency = 3, burstlength = 4
CAS
latency = 2, burstlength = 4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。