型號: | IS42VS16100C1-10TI |
廠商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
中文描述: | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
封裝: | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50 |
文件頁數(shù): | 49/80頁 |
文件大?。?/td> | 772K |
代理商: | IS42VS16100C1-10TI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IS42VS16100C1-10TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-10T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-10TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-10TLI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IS42VS16100C1-10TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42VS16100C1-10TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42VS16100C1-10TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42VS16100C1-10TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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