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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42VS16100C1-10TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 7/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 772K |
| 代理商： | IS42VS16100C1-10TL |
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IS42VS16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
7
AC CHARACTERISTICS
(1,2,3)
-10
Symbol Parameter
Min.
Max.
Units
t
CK
3
t
CK
2
Clock Cycle Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
10
12
—
—
ns
ns
t
AC
3
t
AC
2
Access Time From CLK
(4)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
7
8
ns
ns
t
CHI
CLK HIGH Level Width
3
—
ns
t
CL
CLK LOW Level Width
3
—
ns
t
OH
3
t
OH
2
Output Data Hold Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
2
2
—
—
ns
ns
t
LZ
Output LOW Impedance Time
0
—
ns
t
HZ
3
t
HZ
2
Output HIGH Impedance Time
(5)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
7
8
ns
ns
t
DS
Input Data Setup Time
2
—
ns
t
DH
Input Data Hold Time
1
—
ns
t
AS
Address Setup Time
2
—
ns
t
AH
Address Hold Time
1
—
ns
t
CKS
CKE Setup Time
2.5
—
ns
t
CKH
CKE Hold Time
1
—
ns
t
CKA
CKE to CLK Recovery Delay Time
1CLK+3
—
ns
t
CS
Command Setup Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
2
—
ns
t
CH
Command Hold Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
1
—
ns
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
94
—
ns
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
50
100,000
ns
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
24
—
ns
t
RCD
Active Command To Read / Write Command Delay Time
24
—
ns
t
RRD
Command Period (ACT [0] to ACT[1])
18
—
ns
t
DPL
3
Input Data To Precharge
Command Delay time
CAS
Latency = 3
2CLK
—
ns
t
DPL
2
CAS
Latency = 2
2CLK
—
ns
t
DAL
3
Input Data To Active / Refresh
Command Delay time (During Auto-Precharge)
CAS
Latency = 3
2CLK+t
RP
—
ns
t
DAL
2
CAS
Latency = 2
2CLK+t
RP
—
ns
t
T
Transition Time
0.5
5
ns
t
REF
Refresh Cycle Time (2048)
—
32
ms
Notes:
1. Thepower-on sequence must be executed before starting memory operation.
2. Measured with t
T
= 0.5 ns.
3. The reference level is 0.9V when measuring input signal timing. Rise and fall times are measured between V
IH
(min.) and V
IL
(max.).
4. Access time is measured at 0.9V with the load shown in the figure below.
5. The time t
HZ
(max.) is defined as the time required for the output voltage to become high impedance.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100E-10TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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