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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16160A-5T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 18/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 792K |
| 代理商： | IS43R16160A-5T |
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18
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
ISSI
IS43R16160A
Precharge Timing During Write Operation
Precharge timing for Write operations in DRAMs requires enough time to satisfy the write recovery require-
ment. This is the time required by a DRAM sense amp to fully store the voltage level. For DDR SDRAMs, a
timing parameter (t
WR
) is used to indicate the required amount of time between the last valid write operation
and a Precharge command to the same bank.
The “write recovery” operation begins on the rising clock edge after the last DQS edge that is used to strobe
in the last valid write data. “Write recovery” is complete on the next 2nd rising clock edge that is used to strobe
in the Precharge command.
Write with Precharge Timing
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D
0
D
1
D
2
D
3
NOP
Write
NOP
NOP
NOP
NOP
Pre
A
NOP
CK, CK
Command
DQS
DQ
t
RAS
(min)
t
RP
(min)
BA
NOP
T9
T10
t
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
DQS
DQ
t
WR
BA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16160A-5TL | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160A-6T | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160A | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16320A | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16320A-6TL | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16160A-5TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16160B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
| IS43R16160B-5BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
| IS43R16160B-5BL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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