參數(shù)資料
型號: IS45S16400C1-7TA1
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 29/55頁
文件大?。?/td> 504K
代理商: IS45S16400C1-7TA1
IS45S16400C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/25/05
29
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
WRITE
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
D
OUT
b
D
OUT
b+1
BANK,
COL n
BANK,
COL b
CAS Latency - 2
WRITE to READ
WP1 - WRITE to PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
WRITE
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
NOP
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
t
WR
t
RP
PRECHARGE
D
IN
n
D
IN
n+1
CAS Latency - 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S16400C1-7TLA 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16800B 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S16800B-7TA 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S16800B-7TA1 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
IS45S16400C1-7TLA 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS45S16400E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400E-6TLA1 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16400E-6TLA1-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube