參數(shù)資料
型號(hào)： IS45S16400C1-7TA1
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 52/55頁(yè)
文件大小： 504K
代理商： IS45S16400C1-7TA1
IS45S16400C1
ISSI
52
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/25/05
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
CMS
t
CMH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
BURST TERM
NOP
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
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t
AH
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DH
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ROW
ROW
BANK
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m
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1
D
IN
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2
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COLUMN m
(2)
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PDF描述
IS45S16400C1-7TLA 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16800B 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S16800B-7TA 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S16800B-7TA1 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS45S16400C1-7TLA 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS45S16400E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400E-6TLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M (4Mx16) 166MHz S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16400E-6TLA1-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M (4Mx16) 166MHz S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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