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參數(shù)資料
| 型號： | IS45S16400C1-7TLA |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 32/55頁 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS45S16400C1-7TLA |
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IS45S16400C1
ISSI
32
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/25/05
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
NOP
WRITE
NOP
NOP
COL n
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
n+2
INTERNAL
CLOCK
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
BANK a,
COL n
D
OUT
n
D
OUT
n+1
D
OUT
n+2
D
OUT
n+3
INTERNAL
CLOCK
CLOCK SUSPEND
Clock suspend mode occurs when a column access/burst
is in progress and CKE is registered LOW. In the clock
suspend mode, the internal clock is deactivated, “freezing”
the synchronous logic.
For each positive clock edge on which CKE is sampled
LOW, the next internal positive clock edge is suspended.
Any command or data present on the input pins at the time
of a suspended internal clock edge is ignored; any data
present on the DQ pins remains driven; and burst counters
are not incremented, as long as the clock is suspended.
(See following examples.)
Clock suspend mode is exited by registering CKE HIGH;
the internal clock and related operation will resume on the
subsequent positive clock edge.
Clock Suspend During WRITE Burst
Clock Suspend During READ Burst
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S16400C1-7TLA1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16800B | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S16800B-7TA | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S16800B-7TA1 | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S16800B-7TLA | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S16400C1-7TLA1 | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS45S16400E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16400E-6TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S16400E-6TLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S16400E-7TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 143MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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