型號: | IS45S32200C1-7TLA |
廠商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
中文描述: | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
封裝: | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
文件頁數: | 40/59頁 |
文件大小: | 622K |
代理商: | IS45S32200C1-7TLA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IS45S32200C1-7TLA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS45S32400B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
IS45S32400B-6BA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
IS45S32400B-6BLA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
IS45S32400B-6TA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IS45S32200C1-7TLA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS45S32200E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS45S32200E-6BLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS45S32200E-6BLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS45S32200E-6TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |