參數(shù)資料
型號: IS45S32200C1-7TLA
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝: 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
文件頁數(shù): 42/59頁
文件大?。?/td> 622K
代理商: IS45S32200C1-7TLA
IS45S32200C1
ISSI
42
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/18/06
SELF-REFRESH CYCLE
CAS
latency = 2, 3
CLK
CKE
COMMAND
DQM0-DQM3
A0-A9
A10
BA0, BA1
DQ
t
AS
t
AH
BANK
t
CL
t
CH
t
CK
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
ALL BANKS
SINGLE BANK
t
CKS
Precharge all
active banks
CLK stable prior to exiting
self refresh mode
Enter self
refresh
mode
Exit
self refresh
mode
(Restart refresh time base)
T0
T1
T2
Tn+1
To+1
To+2
High-Z
Auto
Refresh
Auto
Refresh
PRECHARGE
NOP
NOP
NOP
t
CKS
t
RAS
t
RP
t
XSR
DON'T CARE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S32200C1-7TLA1 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S32400B 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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IS45S32400B-6BLA1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TA1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
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IS45S32200E-6BLA1 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S32200E-6BLA1-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S32200E-6TLA1 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube