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參數資料
| 型號： | IS45S32200C1 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 為512k位× 32位× 4銀行（64兆位）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數： | 35/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 622K |
| 代理商： | IS45S32200C1 |
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IS45S32200C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/18/06
35
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1,2,3)
-7
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Max.
Units
t
CK3
t
CK2
Clock Cycle Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
7
10
—
—
ns
ns
t
AC3
t
AC2
Access Time From CLK
(4)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
5.5
8
ns
ns
t
CH
CLK HIGH Level Width
2.5
—
ns
t
CL
CLK LOW Level Width
2.5
—
ns
t
OH
Output Data Hold Time
2.5
—
ns
t
LZ
Output LOW Impedance Time
0
—
ns
t
HZ3
t
HZ2
Output HIGH Impedance Time
(5)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
5.5
8
ns
ns
t
DS
Input Data Setup Time
1.5
—
ns
t
DH
Input Data Hold Time
0.8
—
ns
t
AS
Address Setup Time
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.8
—
ns
t
CKS
CKE Setup Time
1
—
ns
t
CKH
CKE Hold Time
0.8
—
ns
t
CKA
CKE to CLK Recovery Delay Time
1CLK+3
—
ns
t
CS
Command Setup Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
2
—
ns
t
CH
Command Hold Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
1
—
ns
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
63
—
ns
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
38.7
120K
ns
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
20
—
ns
t
RCD
Active Command To Read / Write Command Delay Time
20
—
ns
t
RRD
Command Period (ACT [0] to ACT[1])
14
—
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32200C1-7BLA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TLA | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TLA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32400B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS45S32200C1-7BLA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TLA | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TLA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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