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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS45S32400B-6TAL1 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 14/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | IS45S32400B-6TAL1 |
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ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
07/10/06
IS45S32400B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to V
DD
+ 0.5
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
1
50
0 to +70
–40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
A
A1
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(A: T
A
= 0 to +70°C, A1: T
A
= -40°C to +85°C)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
(1)
V
IL
(2)
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
3.0
2.0
-1.2
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
V
DDQ
+ 1.2
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
IN1
C
IN2
CI/O
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance:All other input pins
Data Input/Output Capacitance:I/Os
2.5
2.5
4.0
4.0
5.0
6.5
pF
pF
pF
Note:
1. V
IH
(max) = V
DDQ
+1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
2. V
IL
(min) = -1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
3. All voltages are referenced to Vss.
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TLA1 | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-6TLA1-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-7BA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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