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參數(shù)資料
| 型號： | IS45S32400B-6TAL1 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 21/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | IS45S32400B-6TAL1 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
07/10/06
21
ISSI
IS45S32400B
AUTO-REFRESH CYCLE
Notes:
1.
CAS
latency = 2, 3
t
RP
t
RC
t
RC
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM0 - DQM3
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
AS
t
AH
t
CH
t
CL
t
CK
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
T0
T1
T2
Tn+1
To+1
ALL BANKS
SINGLE BANK
BANK
(s)
ROW
ROW
BANK
High-Z
PRECHARGE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
Auto
Refresh
Auto
Refresh
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-6TLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-7BA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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