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參數資料
| 型號： | IS45S32400B-6TAL1 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 9/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | IS45S32400B-6TAL1 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
07/10/06
9
ISSI
IS45S32400B
Current State
Idle
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
WE
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
Address
X
X
X
BA, CA, A10
A, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
OC, BA1=L
X
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
Command
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
Action
Nop or Power Down
(2)
Nop or Power Down
(2)
Nop or Power Down
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3)
Row activating
Nop
Auto refresh or Self-refresh
(4)
Mode register set
Nop
Nop
Nop
Begin read
(5)
Begin write
(5)
ILLEGAL
(3)
Precharge
Precharge all banks
(6)
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end to
Row active
Continue burst to end Row
Row active
Burst stop, Row active
Terminate burst,
begin new read
(7)
Terminate burst,
begin write
(7,8)
ILLEGAL
(3)
Terminate burst
Precharging
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Write recovering
Continue burst to end
Write recovering
Burst stop, Row active
Terminate burst, start read :
Determine AP
(7,8)
Terminate burst, new write :
Determine AP
(7)
ILLEGAL
(3)
Terminate burst Precharging
(9)
ILLEGAL
ILLEGAL
Row Active
L
L
H
L
L
X
L
L
X
H
L
X
X
OC, BA
X
REF/SELF
MRS
DESL
Read
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
H
H
H
L
BA, RA
BA, A10
ACT
PRE/PALL
L
L
H
L
L
X
L
L
X
H
L
X
X
OC, BA
X
REF/SELF
MRS
DESL
Write
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
BA, RA
BA, A10
X
OC, BA
RA ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data, BA= Bank Address, CA+Column Address, RA=Row Address, OC= Op-Code
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6TLA | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-6TLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-7BA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-7BLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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