- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377559 > IS61LF51218A-7.5TQLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS61LF51218A-7.5TQLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 15/32頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS61LF51218A-7.5TQLI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/04/05
15
ISSI
IS61LF25636A IS61LF51218A IS61VF25636A IS61VF51218A
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
6.5
7.5
Min. Max.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
fmax
Clock Frequency
—
133
—
117
MHz
t
KC
Cycle Time
7.5
—
8.5
—
ns
t
KH
Clock High Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KL
Clock Low Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KQ
Clock Access Time
—
6.5
—
7.5
ns
t
KQX
(2)
Clock High to Output Invalid
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQLZ
(2,3)
Clock High to Output Low-Z
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQHZ
(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
3.8
—
4.0
ns
t
OEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.2
—
3.4
ns
t
OELZ
(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
t
OEHZ
(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
3.5
—
3.5
ns
t
AS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
WS
Read/Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
CES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
DS
Data Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
WH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
CEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
AVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
DH
Data Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
PDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
t
PUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Notes:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LF25672A-6.5B1I | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF25672A | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF25672A-6.5B1 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LF51218B-7.5TQLI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100LQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標準包裝:72 |
| IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。