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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LF51236A-7.5B2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 17/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 281K |
| 代理商： | IS61LF51236A-7.5B2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
04/21/06
17
ISSI
IS61LF25672A IS61LF51236A IS61LF102418A
IS61VF25672A IS61VF51236A IS61VF102418A
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
6.5
7.5
Min. Max.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
fmax
Clock Frequency
—
133
—
117
MHz
t
KC
Cycle Time
7.5
—
8.5
—
ns
t
KH
Clock High Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KL
Clock Low Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KQ
Clock Access Time
—
6.5
—
7.5
ns
t
KQX
(2)
Clock High to Output Invalid
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQLZ
(2,3)
Clock High to Output Low-Z
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQHZ
(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
3.8
—
4.0
ns
t
OEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.2
—
3.4
ns
t
OELZ
(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
t
OEHZ
(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
3.5
—
3.5
ns
t
AS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
WS
Read/Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
CES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
DS
Data Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
WH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
CEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
AVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
DH
Data Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
PDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
t
PUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Notes:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A-7.5B2I | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3I | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3LI | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5TQ | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LF51236B-7.5TQLI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:18M（512K x 36） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 |
| IS61LF6432A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 32, 64Kx36 SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF6432A-8.5TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61LF6432A-8.5TQLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 32, 64Kx36 SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF6436A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 32, 64Kx36 SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
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