參數(shù)資料
型號： IS61LPS51218A-250B2I
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 6/32頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： IS61LPS51218A-250B2I
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
04/29/05
IS61VPS25636A, IS61LPS25636A, IS61VPS51218A, IS61LPS51218A
ISSI
PIN DESCRIPTIONS
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
256K
X
36 (TOP VIEW)
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DQPc
DQc
DQc
DQc
DQc
NC
DQd
DQd
DQd
DQd
DQPd
NC
MODE
A
A
NC
DQc
DQc
DQc
DQc
Vss
DQd
DQd
DQd
DQd
NC
NC
NC
CE
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
BWc
BWb
CE2
CLK
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
A
1
*
A
0
*
BWE
ADSC
ADV
A
A
NC
DQPb
DQb
DQb
DQb
DQb
NC
DQa
DQa
DQa
DQa
NC DQPa
A
A
NC
NC
BWd
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
BWa
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDI
TMS
GW
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDO
TCK
OE
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
DQb
DQb
DQb
DQb
ZZ
DQa
DQa
DQa
DQa
A
A
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write
Controls
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
,
CE2
,
CE2
BW
x (x=a,b,c,d)
Symbol
BWE
Pin Name
Byte Write Enable
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQx
DQPx
V
DD
V
DDQ
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
3.3V/2.5V Power Supply
Isolated Output Power Supply
3.3V
/2.5V
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LPS51218A-250B3 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250B3I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250TQ 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250TQI 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51236A-250B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LPS51218A-250B3 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250B3I 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250TQ 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218A-250TQI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51218B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100LQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標準包裝:72
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