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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LV10248-10BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA36 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, MINI, BGA-36 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | IS61LV10248-10BI |
PACKAGING INFORMATION
ISSI
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. D
01/15/03
mBGA - 7.2mm x 8.7mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym.
Min. Typ. Max.
Min. Typ. Max.
N0.
Leads
48
A
A1
A2
D
D1
E
E1
—
—
—
—
8.70
5.25BSC
7.20
3.75BSC
1.20
0.30
—
8.80
—
—
—
—
0.047
0.012
—
0 .24
0.60
8.60
0.009
0.024
0.339 0.343 0.346
0.207BSC
0.280 0.283 0.287
0.148BSC
7.10
7.30
e
0.75BSC
0.030BSC
b
0.30
0.35
0.40
0.012 0.014 0.016
mBGA - 9mm x 11mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym.
Min. Typ. Max.
Min. Typ. Max.
N0.
Leads
48
A
A1
A2
D
D1
E
E1
—
0.24
0.60
10.90 11.00 11.10
5.25BSC
8.90
9.00
3.75BSC
—
—
—
1.20
0.30
—
—
—
—
—
0.047
0.012
—
0.009
0.024
0.429 0.433 0.437
0.207BSC
0.350 0.354 0.358
0.148BSC
9.10
e
0.75BSC
0.030BSC
b
0.30
0.35
0.40
0.012 0.014 0.016
mBGA - 6mm x 8mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym.
Min. Typ. Max.
Min. Typ. Max.
N0.
Leads
48
A
A1
A2
D
D1
E
E1
—
—
—
—
8.00
5.60BSC
6.00
4.00BSC
1.20
0.40
—
8.10
.—
—
— 0.016
—
0.047
0.25
0.60
7.90
0.010
0.024
0.311 0.314 0.319
0.220BSC
0.232 0.236 0.240
0.157BSC
—
5.90
6.10
e
0.80BSC
0.031BSC
b
0.40
0.45
0.50
0.016 0.018 0.020
Mini Ball Grid Array
Package Code: M (48-pin)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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