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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LV10248-10BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA36 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, MINI, BGA-36 |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | IS61LV10248-10BI |
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
04/13/06
IS61LV10248
ISSI
PIN CONFIGURATION
36 mini BGA (B) (9mm x 11mm)
PIN DESCRIPTIONS
A0-A19
Address Inputs
CE
Chip Enable Input
OE
Output Enable Input
WE
Write Enable Input
I/O0-I/O7
Data Input / Output
V
DD
Power
GND
Ground
NC
No Connection
48-pin Mini BGA (M ) (9mm x 11mm)
44-pin TSOP (Type II )
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
V
DD
I/O6
I/O7
A
9
A1
A2
OE
A10
NC
WE
A1
9
A18
CE
A11
A3
A4
A5
A17
A16
A12
A6
A7
A15
A13
A8
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
A14
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
NC
GND
V
DD
NC
NC
A18
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A
9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I/O1
I/O3
I/O4
I/O5
WE
A11
NC
I/O0
I/O2
V
DD
GND
I/O6
I/O7
A1
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
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20
21
22
40
39
38
37
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35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
VDD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
VDD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
A19
NC
NC
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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