參數(shù)資料
型號(hào): IS61LV10248-10BI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 1M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA36
封裝: 9 X 11 MM, MINI, BGA-36
文件頁(yè)數(shù): 5/16頁(yè)
文件大小: 123K
代理商: IS61LV10248-10BI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
04/13/06
5
IS61LV10248
ISSI
AC TEST LOADS
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Levels
Output Load
Unit
0V to 3.0V
3 ns
1.5V
See Figures 1 and 2
Figure 1
31
9
Ω
5 pF
Including
jig and
scope
353
Ω
OUTPUT
3.3V
Figure 2
Z
O
= 50
Ω
1.5V
50
Ω
OUTPUT
30 pF
Including
jig and
scope
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV10248-10BLI 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10MI 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10T 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10TI 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10TLI 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LV10248-10BI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV10248-10BLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10MI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-10T 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV10248-10TI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray