- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377563 > IS61LV12824-10B (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LV12824-10B |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 中文描述： | 128K X 24 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | IS61LV12824-10B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)
IS61LV12824
ISSI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
06/22/05
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
ACE
2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
HZCE
2
(2)
t
LZCE
(2)
t
LZCE
2
(2)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
8
—
10
—
ns
Address Access Time
—
8
—
10
ns
Output Hold Time
3
—
3
—
ns
CE1
,
CE2
Access Time
CE2 Access Time
8
—
—
10
ns
OE
Access Time
—
4
—
4
ns
OE
to High-Z Output
0
3
0
3
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
CE1
,
CE2
to High-Z Output
CE2 to High-Z Output
0
4
0
5
ns
CE
,
CE2
to Low-Z Output
CE2 to Low-Z Output
3
—
3
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 2 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V and
output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±200 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV12824-10BI | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12824-10BL | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12824-10TQ | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12824-10TQI | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12824-10TQLI | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV12824-10BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12824-10BL | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12824-10BL-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12824-10B-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12824-10TQ | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。