參數(shù)資料
型號: IS61LV2568L-10T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 256K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù): 6/14頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: IS61LV2568L-10T
IS61LV2568L
ISSI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
07/25/05
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
- 8 ns
-10 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
Parameter
Min.
Max
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
8
10
ns
Address Access Time
8
10
ns
Output Hold Time
2.5
2.5
ns
CE
Access Time
8
10
ns
OE
Access Time
3.5
4
ns
OE
to Low-Z Output
0
0
ns
OE
to High-Z Output
0
3.5
0
4
ns
CE
to Low-Z Output
3.5
3
ns
CE
to High-Z Output
0
3.5
0
4
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V
and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±200 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
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PDF描述
IS61LV2568L-10TL 256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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IS61LV2568 256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS61LV2568L-10TL-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 256Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV2568L-10T-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 256Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV2568L-8K 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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