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參數(shù)資料
| 型號： | IS65WV12816BLL |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K的× 16低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/19頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IS65WV12816BLL |
IS65WV12816ALL, IS65WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
06/08/06
3
TRUTH TABLE
I/O PIN
Mode
WE
CS1
CS2
OE
LB
UB
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
Vdd Current
Not Selected
X
X
X
H
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
Output Disabled
H
H
L
L
H
H
H
H
L
X
X
L
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
I
CC
I
CC
Read
H
H
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
H
L
H
L
L
D
OUT
High-Z
D
OUT
High-Z
D
OUT
D
OUT
I
CC
Write
L
L
L
L
L
L
H
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
L
D
IN
High-Z
D
IN
D
IN
I
CC
High-Z
D
IN
OPERATING RANGE (V
DD
)
Option
A
A1
Ambient Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
IS65WV12816ALL
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
IS65WV12816BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
A2
–40°C to +105°C
1.65V - 2.2V
2.5V - 3.6V
A3
–40°C to +125°C
1.65V - 2.2V
2.5V - 3.6V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
V
TERM
T
STG
P
T
Parameter
Terminal Voltage with Respect to GND
Storage Temperature
Power Dissipation
Value
Unit
V
°C
W
–0.2 to V
DD
+0.3
–65 to +150
1.0
Note:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS65WV25616ALL | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS65WV25616ALL-70TA1 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS65WV25616ALL-70TA2 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS65WV25616ALL-70TA3 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS65WV25616BLL | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS65WV12816BLL-55BLA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS65WV12816BLL-55BLA3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS65WV12816BLL-55TA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS65WV12816BLL-55TA3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS65WV12816BLL-55TLA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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