參數(shù)資料
型號(hào): IS65WV12816BLL
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述: 128K的× 16低電壓,超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 6/19頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商: IS65WV12816BLL
IS65WV12816ALL, IS65WV12816BLL
ISSI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
06/08/06
AC TEST CONDITIONS
Parameter
65WV12816ALL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.2V
5 ns
V
REF
65WV12816BLL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level
Output Load
See Figures 1 and 2
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 1
Figure 2
65WV12816ALL
(1.65V-2.2V)
65WV12816BLL
(2.5V - 3.6V)
R1(
R2(
Ω)
Ω)
3070
3070
3150
3150
V
REF
0.9V
1.5V
V
TM
1.8V
2.8V
R1
5 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
R1
30 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS65WV25616ALL 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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IS65WV25616ALL-70TA2 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616ALL-70TA3 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616BLL 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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參數(shù)描述
IS65WV12816BLL-55BLA3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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