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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS65WV12816BLL |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K的× 16低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/19頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IS65WV12816BLL |
IS65WV12816ALL, IS65WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
06/08/06
7
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-55 ns
-70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
CS1/
CS2 to High-Z Output
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
CS1/
CS2 to Low-Z Output
t
BA
LB
,
UB
Access Time
t
HZB
LB
,
UB
to High-Z Output
t
LZB
LB
,
UB
to Low-Z Output
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
0
20
0
25
ns
10
—
10
—
ns
—
55
—
70
ns
0
20
0
25
ns
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V and
output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IS65WV12816BLL-55BLA3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS65WV12816BLL-55TA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M (128Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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