參數(shù)資料
型號(hào)： IS65WV25616BLL-55TA1
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： IS65WV25616BLL-55TA1
IS65WV25616ALL, IS65WV25616BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00B
06/20/06
5
AC TEST CONDITIONS
IS65WV25616ALL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.2V
5 ns
V
REF
IS65WV25616BLL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level
Output Load
See Figures 1 and 2
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 1
Figure 2
IS65WV25616ALL
1.65V-2.2V
IS65WV25616BLL
2.5V - 3.6V
R1(
R2(
V
REF
Ω)
Ω)
3070
3070
3150
3150
0.9V
1.5V
V
TM
1.8V
2.8V
R1
5 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
R1
30 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
8
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
10
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
62WV5126ALL tst1a.eps
25616l_tst1c.eps
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS65WV25616BLL-70TA2 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616BLL-70TA3 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS6MC256K 256KB Secondary cache Module(256KB 次級(jí)高速緩沖存儲(chǔ)器模塊)
IS75V16F128GS32 3.0 Volt Multi-Chip Package (MCP) 128 Mbit Simultaneous Operation Flash Memory and 32 Mbit Pseudo Static RAM
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參數(shù)描述
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IS65WV25616BLL-70TA3 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616BLL-70TLA3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M (256Kx16) 70ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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