Specifications ispLSI 1032E USE ispLSI 1032EA FOR NEW DESIGNS Absolute Maximum Ratings 1
參數(shù)資料
型號(hào)： ISPLSI 1032E-125LTN
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁(yè)數(shù)： 11/17頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC PLD ISP 64I/O 7.5NS 100TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ispLSI® 1000E
可編程類型： 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時(shí)間 tpd(1)： 7.5ns
電壓電源 - 內(nèi)部： 4.75 V ~ 5.25 V
邏輯元件/邏輯塊數(shù)目： 32
門(mén)數(shù)： 6000
輸入/輸出數(shù)： 64
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-TQFP（14x14）
包裝： 托盤(pán)
其它名稱： 220-1592
ISPLSI 1032E-125LTN-ND
ISPLSI1032E-125LTN
3
Specifications ispLSI 1032E
USE
ispLSI
1032EA
FOR
NEW
DESIGNS
Absolute Maximum Ratings 1
Supply Voltage Vcc ...................................-0.5 to +7.0V
Input Voltage Applied ........................ -2.5 to VCC +1.0V
Off-State Output Voltage Applied ..... -2.5 to VCC +1.0V
Storage Temperature ................................ -65 to 150°C
Case Temp. with Power Applied .............. -55 to 125°C
Max. Junction Temp. (TJ) with Power Applied ... 150°C
1. Stresses above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or at any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification
is not implied (while programming, follow the programming specifications).
DC Recommended Operating Conditions
TA = 0°C to + 70°C
TA = -40°C to + 85°C
SYMBOL
Table 2-0005/1032E
VCC
VIH
VIL
PARAMETER
Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
MIN.
MAX.
UNITS
4.75
4.5
2.0
0
5.25
5.5
Vcc+1
0.8
V
Commercial
Industrial
Capacitance (T
A=25
oC, f=1.0 MHz)
Data Retention Specifications
Table 2-0008/1032E
PARAMETER
Data Retention
MINIMUM
MAXIMUM
UNITS
Erase/Reprogram Cycles
20
10000
–
Years
Cycles
C
SYMBOL
Table 2-0006/1032E
C
PARAMETER
Y0 Clock Capacitance
15
UNITS
TYPICAL
TEST CONDITIONS
1
2
8
Dedicated Input, I/O, Y1, Y2, Y3, Clock Capacitance
(Commercial/Industrial)
pf
V = 5.0V, V
= 2.0V
V = 5.0V, V
= 2.0V
CC
PIN
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ISPLSI1032E70LJI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD
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