Specifications ispLSI 1032E USE ispLSI 1032EA FOR NEW DESIGNS Internal Timing Parameters1 GRP " />
參數(shù)資料
型號(hào): ISPLSI 1032E-125LTN
廠商: Lattice Semiconductor Corporation
文件頁(yè)數(shù): 16/17頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC PLD ISP 64I/O 7.5NS 100TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 90
系列: ispLSI® 1000E
可編程類型: 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時(shí)間 tpd(1): 7.5ns
電壓電源 - 內(nèi)部: 4.75 V ~ 5.25 V
邏輯元件/邏輯塊數(shù)目: 32
門數(shù): 6000
輸入/輸出數(shù): 64
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 100-TQFP(14x14)
包裝: 托盤
其它名稱: 220-1592
ISPLSI 1032E-125LTN-ND
ISPLSI1032E-125LTN
8
Specifications ispLSI 1032E
USE
ispLSI
1032EA
FOR
NEW
DESIGNS
Internal Timing Parameters1
GRP Delay, 32 GLB Loads
tiobp
1. Internal Timing Parameters are not tested and are for reference only.
2. Refer to Timing Model in this data sheet for further details.
3. The XOR adjacent path can only be used by hard macros.
Table 2-0036B/1032E
Inputs
UNITS
-80
MIN.
-70
MIN.
MAX.
DESCRIPTION
#
2
PARAM.
22 I/O Register Bypass
ns
tiolat
23 I/O Latch Delay
ns
tgrp32
33
–ns
GLB
t1ptxor
36 1 Prod.Term/XOR Path Delay
ns
t20ptxor 37 20 Prod. Term/XOR Path Delay
ns
txoradj
38 XOR Adjacent Path Delay
ns
tgbp
39 GLB Register Bypass Delay
–ns
tgsu
40 GLB Register Setup Time before Clock
ns
tgh
41 GLB Register Hold Time after Clock
ns
tgco
42 GLB Register Clock to Output Delay
ns
3
tgro
43 GLB Register Reset to Output Delay
ns
tptre
44 GLB Prod.Term Reset to Register Delay
ns
tptoe
45 GLB Prod. Term Output Enable to I/O Cell Delay
ns
tptck
46 GLB Prod. Term Clock Delay
ns
ORP
GRP
MIN. MAX.
t4ptbpc 34 4 Prod.Term Bypass Path Delay (Combinatorial)
ns
t4ptbpr
35 4 Prod. Term Bypass Path Delay (Registered)
ns
0.5
7.9
4.5
torp
47 ORP Delay
ns
torpbp
48 ORP Bypass Delay
0.0
ns
tiosu
24 I/O Register Setup Time before Clock
3.5
ns
tioh
25 I/O Register Hold Time after Clock
0.0
ns
tioco
26 I/O Register Clock to Out Delay
ns
tior
27 I/O Register Reset to Out Delay
ns
tdin
28 Dedicated Input Delay
ns
tgrp16
32 GRP Delay, 16 GLB Loads
ns
tgrp8
31 GRP Delay, 8 GLB Loads
ns
tgrp4
30 GRP Delay, 4 GLB Loads
ns
tgrp1
29 GRP Delay, 1 GLB Load
ns
0.3
2.7
4.8
6.6
7.8
8.2
1.3
2.9
6.4
5.5
8.0
7.1
6.7
5.8
1.0
0.0
5.4
2.8
3.5
2.8
2.5
2.2
0.5
8.8
4.8
4.0
0.0
0.3
3.3
5.6
8.3
8.7
9.2
1.6
2.9
6.8
5.8
9.0
8.8
7.2
6.2
1.0
6.1
6.0
2.8
4.0
3.2
2.5
-90
0.2
6.8
4.1
3.5
0.0
0.3
2.3
4.4
5.6
6.8
7.1
0.4
2.9
6.3
5.1
7.1
5.7
6.1
5.3
1.0
0.0
5.0
2.6
3.2
2.6
2.3
2.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ESA43DRMH CONN EDGECARD 86POS .125 SQ WW
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ispLSI1032E-125LTN 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI1032E125LTNI 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD
ISPLSI1032E70LJ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD
ispLSI1032E-70LJ 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI1032E70LJI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD